+1 500 000 προϊόντα σε προσφορά

6000 απεσταλμένα δέματα καθημερινά

+300 000 πελάτες σε 150 χώρες

Quick Buy Αγαπημένα
Καλάθι

APTM120DA30CT1G

Μονάδα; δίοδος SiC/τρανζίστορ; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W

Κατασκευαστής: MICROCHIP TECHNOLOGY

Ορισμός κατασκευαστή:
APTM120DA30CT1G
Σύμβολο TME:
APTM120DA30CT1G

Προδιαγραφή

Κατασκευαστής
MICROCHIP TECHNOLOGY
Τύπος μονάδας ημιαγωγού
Τρανζίστορ MOSFET
Κατασκευή ημιαγωγού
δίοδος SiC/τρανζίστορ
Τάση πυρήνα - πηγής
1,2kV
Ρεύμα αποστράγγισης
23A
Περίβλημα
SP1
Τοπολογία
boost chopper, θερμίστορ NTC
Ηλεκτρική συναρμολόγηση
Press-in PCB
Αγώγιμη αντίσταση
0,36Ω
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό
195A
Ισχύς απαγωγής
657W
Τεχνολογία
POWER MOS 8®, SiC
Τάση πύλης - πηγής
±30V
Μηχανική συναρμολόγηση
Βιδωτά
Μεικτό βαρος80 g
Πιστοποιητικά

Η Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. Αποτελεί εισαγωγέα προϊόντων της εταιρείας αυτής

Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
*
APTM120DA30CT1G
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 12 τεμ - 65.71 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 12 τεμ - 81.48 EUR
Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 12)