+1 500 000 προϊόντα σε προσφορά

6000 απεσταλμένα δέματα καθημερινά

+300 000 πελάτες σε 150 χώρες

Quick Buy Αγαπημένα
Καλάθι

APTM120U10SCAVG

Μονάδα; δίοδος SiC/τρανζίστορ; 1,2kV; 86A; SP6; Βιδωτά; Idm: 464A

Κατασκευαστής: MICROCHIP TECHNOLOGY

Ορισμός κατασκευαστή:
APTM120U10SCAVG
Σύμβολο TME:
APTM120U10SCAVG

Προδιαγραφή

Κατασκευαστής
MICROCHIP TECHNOLOGY
Τύπος μονάδας ημιαγωγού
Τρανζίστορ MOSFET
Κατασκευή ημιαγωγού
δίοδος SiC/τρανζίστορ
Τάση πυρήνα - πηγής
1,2kV
Ρεύμα αποστράγγισης
86A
Περίβλημα
SP6
Τοπολογία
μονό τανζίστορ + σειριακή δίοδος + παράλληλη δίοδος
Ηλεκτρική συναρμολόγηση
Βιδωτά
Αγώγιμη αντίσταση
0,12Ω
Ρεύμα αποστράγγισης σε παλμό
464A
Ισχύς απαγωγής
3,29kW
Τεχνολογία
POWER MOS 7®, SiC
Τάση πύλης - πηγής
±30V
Μηχανική συναρμολόγηση
Βιδωτά
Μεικτό βαρος300 g
Πιστοποιητικά

Η Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. Αποτελεί εισαγωγέα προϊόντων της εταιρείας αυτής

Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
*
APTM120U10SCAVG
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 3 τεμ - 307.45 USDΜικτή τιμή για ποσότητες από 3 τεμ - 381.24 USD
Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 3)