B1D04065E
Δίοδος: ανόρθωσης Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; 26W
Κατασκευαστής: BASiC SEMICONDUCTOR
Ορισμός κατασκευαστή:
B1D04065E
Σύμβολο TME:
B1D04065E
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Τύπος διόδου | ανόρθωσης Schottky | ||
Περίβλημα | TO252-2 | ||
Τεχνολογία | SiC | ||
Συναρμολόγηση | SMD | ||
Μέγιστη αντίστροφη τάση | 650V | ||
Ρεύμα αγωγιμότητας | 4A | ||
Κατασκευή ημιαγωγού | μονή δίοδος | ||
Τάση αγωγιμότητας μέγ. | 1,7V | ||
Ρεύμα διέλευσης | 10µA | ||
Ρεύμα σε παλμούς μέγ. | 30A | ||
Είδος συσκευασίας | ρολό, ταινία | ||
Ισχύς απαγωγής | 26W |
Μεικτό βαρος1 g
Πιστοποιητικά
Η Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. Αποτελεί εισαγωγέα προϊόντων της εταιρείας αυτής
ΔΕΊΤΕ ΤΟ ΒΊΝΤΕΟ
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Δίοδοι Schottky SMD BASiC SEMICONDUCTOR
* B1D04065EΚάνετε χρήση του παρακάτω πίνακα χαρακτηριστικών, προκειμένου να αναζητήσετε παρόμοια προϊόντα
Το προϊόν έχει αποσυρθεί από την προσφορά