B2D20120HC1
Δίοδος: ανόρθωσης Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Κατασκευαστής: BASiC SEMICONDUCTOR
Ορισμός κατασκευαστή:
B2D20120HC1
Σύμβολο TME:
B2D20120HC1
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Τύπος διόδου | ανόρθωσης Schottky | |
Τεχνολογία | SiC | |
Συναρμολόγηση | THT | |
Μέγιστη αντίστροφη τάση | 1,2kV | |
Ρεύμα αγωγιμότητας | 10A x2 | |
Κατασκευή ημιαγωγού | διπλός, κοινή κάθοδο | |
Περίβλημα | TO247-3 | |
Τάση αγωγιμότητας μέγ. | 2V | |
Ρεύμα αγωγιμότητας μέγ. | 20A | |
Ρεύμα σε παλμούς μέγ. | 90A | |
Ρεύμα διέλευσης | 40µA | |
Ισχύς απαγωγής | 60W | |
Είδος συσκευασίας | σωληνάριο |
Μεικτό βαρος6.2 g
Πιστοποιητικά
Η Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. Αποτελεί εισαγωγέα προϊόντων της εταιρείας αυτής
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Δίοδοι Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2D20120HC1Αριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 1)
41 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 5.14 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 1 τεμ - 6.37 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 5 τεμ - 4.62 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 5 τεμ - 5.73 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 30 τεμ - 4.08 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 30 τεμ - 5.06 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 150 τεμ - 3.43 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 150 τεμ - 4.25 EUR
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 600 τεμ - 3.31 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 600 τεμ - 4.10 EUR
Μέθοδος συσκευασίας από τον κατασκευαστήΣωλήνα = 30 τεμ