B3D10120E
Δίοδος: ανόρθωσης Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 1,2kV; 10A; 158W
Κατασκευαστής: BASiC SEMICONDUCTOR
Ορισμός κατασκευαστή:
B3D10120E
Σύμβολο TME:
B3D10120E
Προδιαγραφή
Κατασκευαστής | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Τύπος διόδου | ανόρθωσης Schottky | |
Περίβλημα | TO252-2 | |
Τεχνολογία | SiC | |
Συναρμολόγηση | SMD | |
Μέγιστη αντίστροφη τάση | 1,2kV | |
Ρεύμα αγωγιμότητας | 10A | |
Κατασκευή ημιαγωγού | μονή δίοδος | |
Ρεύμα σε παλμούς μέγ. | 90A | |
Είδος συσκευασίας | ρολό, ταινία | |
Ισχύς απαγωγής | 158W |
Μεικτό βαρος1 g
Πιστοποιητικά
Η Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. Αποτελεί εισαγωγέα προϊόντων της εταιρείας αυτής
Δείτε τα υπόλοιπα προϊόντα της κατηγορίας: Δίοδοι Schottky SMD BASiC SEMICONDUCTOR,
* B3D10120EΑριθμός τεμαχίων (Επανάληψη: 2 500)
0 στο απόθεμα της TME
Καθαρή τιμή για ποσότητες από 2500 τεμ - 0.39 EURΜικτή τιμή για ποσότητες από 2500 τεμ - 0.49 EUR