IXDN75N120
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Proizvođač: IXYS
Oznaka proizvođača:
IXDN75N120
TME Simbol:
IXDN75N120
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 150A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 190A | |
Power dissipation | 660W | |
Technology | NPT | |
Mechanical mounting | screw |
Težina bruto34.72 g
Certifikati
Pogledajte ostale proizvode u ovoj kategoriji: Moduli IGBT IXYS,
* IXDN75N120Broj komada (Višekratnost: 1)
0 na skladištu u TME
Net cijena za količine od 1 komad - 39.88 USDBruto cijena za količine od 1 komad - 49.85 USD
Način pakiranja od strane proizvođačaTuba = 10 komad