MII200-12A4
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 180A
Proizvođač: IXYS
Oznaka proizvođača:
MII200-12A4
TME Simbol:
MII200-12A4
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | transistor/transistor | |
Topology | IGBT half-bridge | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 180A | |
Case | Y3-DCB | |
Application | motors | |
Electrical mounting | FASTON connectors, screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 360A | |
Power dissipation | 1,13kW | |
Technology | NPT | |
Mechanical mounting | screw |
Težina bruto10 g
Certifikati
Pogledajte ostale proizvode u ovoj kategoriji: Moduli IGBT IXYS,
* MII200-12A4Broj komada (Višekratnost: 1)
0 na skladištu u TME
Net cijena za količine od 1 komad - 212.00 EURBruto cijena za količine od 1 komad - 265.00 EUR
Net cijena za količine od 4 komad - 190.00 EURBruto cijena za količine od 4 komad - 237.51 EUR
Net cijena za količine od 6 komad - 171.00 EURBruto cijena za količine od 6 komad - 213.76 EUR