APTM120DA30CT1G
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W
Gamintojas: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gamintojo žymėjimas:
APTM120DA30CT1G
TME Simbolis:
APTM120DA30CT1G
Specifikacija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 1,2kV | ||
Drain current | 23A | ||
Case | SP1 | ||
Topology | boost chopper, NTC thermistor | ||
Electrical mounting | Press-in PCB | ||
On-state resistance | 0,36Ω | ||
Pulsed drain current | 195A | ||
Power dissipation | 657W | ||
Technology | POWER MOS 8®, SiC | ||
Gate-source voltage | ±30V | ||
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė80 g
Sertifikatas
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30CT1GVienetų skaičius (Kartotinumas: 12)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 12 vnt. - 56.33 GBPBendroji kaina už kiekius nuo 12 vnt. - 68.16 GBP
Pasiūlymas prieinamas prisijungusiems klientams