1N5809US/TR
Diode: rectifying; SMD; 100V; 6A; 30ns; MELF; Ufmax: 875mV; Ifsm: 125A
JAUNUMS
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
1N5809US/TR
TME Simbols:
1N5809US/TR
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of diode | rectifying | |
Mounting | SMD | |
Max. off-state voltage | 0,1kV | |
Load current | 6A | |
Reverse recovery time | 30ns | |
Capacitance | 60pF | |
Case | MELF | |
Max. forward voltage | 0,875V | |
Max. forward impulse current | 125A | |
Leakage current | 5µA | |
Kind of package | reel, tape |
Masa bruto0.088 g
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Universālas diodes SMD MICROCHIP TECHNOLOGY,
* 1N5809US/TRGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 109 gab - 7.55 USDBruto cena par daudzumiem no 109 gab - 9.14 USD
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem