1N5817E3
Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 450mV; Ir: 1mA
JAUNUMS
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
1N5817E3
TME Simbols:
1N5817E3
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of diode | Schottky rectifying | |
Mounting | THT | |
Max. off-state voltage | 20V | |
Load current | 1A | |
Semiconductor structure | single diode | |
Case | DO41 | |
Max. forward voltage | 0,45V | |
Max. load current | 1A | |
Max. forward impulse current | 50A | |
Leakage current | 1mA |
Masa bruto0.32 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Diodes Schottky THT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* 1N5817E3Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 200 gab - 5.33 USDBruto cena par daudzumiem no 200 gab - 6.45 USD
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem