APTC60DDAM45T1G
Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTC60DDAM45T1G
TME Simbols:
APTC60DDAM45T1G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | diode/transistor | |
Drain-source voltage | 600V | |
Drain current | 38A | |
Case | SP1 | |
Topology | boost chopper x2, NTC thermistor | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
On-state resistance | 45mΩ | |
Pulsed drain current | 130A | |
Power dissipation | 250W | |
Technology | CoolMOS™, SJ-MOSFET | |
Gate-source voltage | ±20V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto80 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTC60DDAM45T1G
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 14)
Neto cena par daudzumiem no 14 gab - 54.59 GBPBruto cena par daudzumiem no 14 gab - 66.05 GBP