APTCV60TLM45T3G
Module; diode/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTCV60TLM45T3G
TME Simbols:
APTCV60TLM45T3G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET / IGBT transistor | ||
Semiconductor structure | diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 600V | ||
Drain current | 38A | ||
Case | SP3F | ||
Topology | NTC thermistor, three-level inverter; single-phase | ||
Electrical mounting | Press-in PCB | ||
On-state resistance | 45mΩ | ||
Pulsed drain current | 130A | ||
Power dissipation | 250W | ||
Technology | Field Stop, SJ-MOSFET, Trench | ||
Gate-source voltage | ±20V | ||
Mechanical mounting | screw | ||
Collector current | 75A |
Masa bruto110 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTCV60TLM45T3GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 11)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 11 gab - 73.93 EURBruto cena par daudzumiem no 11 gab - 89.46 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem