APTGLQ80HR120CT3G
Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; Urmax: 1.2kV
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTGLQ80HR120CT3G
TME Simbols:
APTGLQ80HR120CT3G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | common emitter, transistor/transistor | |
Topology | 3-level inverter TNPC | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 80A | |
Case | SP3F | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 320A | |
Technology | Field Stop, Trench | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto110 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGLQ80HR120CT3GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 9)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 9 gab - 85.47 EURBruto cena par daudzumiem no 9 gab - 103.42 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem