APTGT50TL60T3G
Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 600V; Ic: 50A; SP3; screw
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTGT50TL60T3G
TME Simbols:
APTGT50TL60T3G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | diode/transistor | |
Topology | NTC thermistor, three-level inverter; single-phase | |
Max. off-state voltage | 0,6kV | |
Collector current | 50A | |
Case | SP3 | |
Application | photovoltaics | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 100A | |
Technology | Field Stop, Trench | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto110 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGT50TL60T3GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 15)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 15 gab - 51.93 EURBruto cena par daudzumiem no 15 gab - 62.84 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem