APTM100DSK35T3G
Module; diode/transistor; 1kV; 17A; SP3; Press-in PCB; Idm: 88A
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM100DSK35T3G
TME Simbols:
APTM100DSK35T3G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 1kV | ||
Drain current | 17A | ||
Case | SP3 | ||
Topology | buck chopper x2, NTC thermistor | ||
Electrical mounting | Press-in PCB | ||
On-state resistance | 0,42Ω | ||
Pulsed drain current | 88A | ||
Power dissipation | 390W | ||
Technology | POWER MOS 7® | ||
Gate-source voltage | ±30V | ||
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto110 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100DSK35T3GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 12)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 12 gab - 65.82 EURBruto cena par daudzumiem no 12 gab - 79.65 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem