APTM100H35FT3G
Module; transistor/transistor; 1kV; 17A; SP3; Press-in PCB; 390W
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM100H35FT3G
TME Simbols:
APTM100H35FT3G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | transistor/transistor | |
Drain-source voltage | 1kV | |
Drain current | 17A | |
Case | SP3 | |
Topology | H-bridge, NTC thermistor | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
On-state resistance | 0,42Ω | |
Pulsed drain current | 88A | |
Power dissipation | 390W | |
Technology | FREDFET, POWER MOS 7® | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto110 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100H35FT3GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 8)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 127.48 USDBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 154.25 USD
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem