APTM100H45FT3G
Module; transistor/transistor; 1kV; 14A; SP3; Press-in PCB; 357W
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM100H45FT3G
TME Simbols:
APTM100H45FT3G
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | transistor/transistor | ||
Drain-source voltage | 1kV | ||
Drain current | 14A | ||
Case | SP3 | ||
Topology | H-bridge, NTC thermistor | ||
Electrical mounting | Press-in PCB | ||
On-state resistance | 0,54Ω | ||
Pulsed drain current | 72A | ||
Power dissipation | 357W | ||
Technology | FREDFET, POWER MOS 7® | ||
Gate-source voltage | ±30V | ||
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto110 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100H45FT3GGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 8)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 104.32 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 126.22 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem