APTM100H45SCTG
Module; SiC diode/transistor; 1kV; 14A; SP4; Idm: 72A; 357W; screw
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM100H45SCTG
TME Simbols:
APTM100H45SCTG
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | |
Drain-source voltage | 1kV | |
Drain current | 14A | |
Case | SP4 | |
Topology | H bridge + parrallel diodes, NTC thermistor | |
Electrical mounting | FASTON connectors, screw | |
On-state resistance | 0,54Ω | |
Pulsed drain current | 72A | |
Power dissipation | 357W | |
Technology | POWER MOS 7®, SiC | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto160 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM100H45SCTGGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 6)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 143.47 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 173.59 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem