+1 500 000 produkti piedāvājumā

7000 pakas sūtītas katrā dienā

+300 000 klienti no 150 valstīm

Quick Buy Iemīļotie
Grozs

Informējam par izmaiņām piegādes grafikā.

Šeit varēsiet uzzināt vairāk

Lūdzu, sazinieties ar savu tirgus pārstāvi. Aiciniet mūs uz tiešsaistes sanāksmi.

APTM120DA30T1G

Module; diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; Idm: 195A


Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY

Oriģināls simbols:
APTM120DA30T1G
TME Simbols:
APTM120DA30T1G

Specifikācija

Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
diode/transistor
Drain-source voltage
1,2kV
Drain current
23A
Case
SP1
Topology
boost chopper, NTC thermistor
Electrical mounting
Press-in PCB
On-state resistance
0,36Ω
Pulsed drain current
195A
Power dissipation
657W
Technology
POWER MOS 8®
Gate-source voltage
±30V
Mechanical mounting
screw
Masa bruto80 g
Sertifikācija

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs

Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
*
APTM120DA30T1G
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 15)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 15.
Daudzkārtīgums: 15.
Neto cena par daudzumiem no 15 gab - 69.52 USDBruto cena par daudzumiem no 15 gab - 84.12 USD