APTM120U10SCAVG
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 86A; SP6; screw; Idm: 464A
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTM120U10SCAVG
TME Simbols:
APTM120U10SCAVG
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 86A | |
Case | SP6 | |
Topology | single transistor + series diode - parrallel diode | |
Electrical mounting | screw | |
On-state resistance | 0,12Ω | |
Pulsed drain current | 464A | |
Power dissipation | 3,29kW | |
Technology | POWER MOS 7®, SiC | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto300 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120U10SCAVGGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 3)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 271.22 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 328.17 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem