APTMC120AM20CT1AG
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 108A; SP1; Press-in PCB; 600W
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APTMC120AM20CT1AG
TME Simbols:
APTMC120AM20CT1AG
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 108A | |
Case | SP1 | |
Topology | MOSFET half-bridge, NTC thermistor | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
On-state resistance | 17mΩ | |
Pulsed drain current | 280A | |
Power dissipation | 600W | |
Technology | SiC | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto80 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY
* APTMC120AM20CT1AGIzmantojiet zemāku specifikācijas tabulu, lai atrast līdzīgus produktus
Produkts atsaukts no piedāvājuma
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem