DA112S1
Diode: TVS array; 12A; 0.73W; bidirectional; ESD; SO8; Ch: 6
Ražotājs: STMicroelectronics
Oriģināls simbols:
DA112S1
TME Simbols:
DA112S1
Specifikācija
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of diode | TVS array | |
Max. forward impulse current | 12A | |
Peak pulse power dissipation | 0,73W | |
Semiconductor structure | bidirectional | |
Version | ESD | |
Mounting | SMD | |
Case | SO8 | |
Max. off-state voltage | 18V | |
Leakage current | 2µA | |
Number of channels | 6 |
Masa bruto0.292 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Drošības diodes - kāpnes STMicroelectronics,
* DA112S1Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 100)
0 TME noliktavā
Produkts pēc speciālā pasūtījuma