G3R20MT12N
Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Ražotājs: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Oriģināls simbols:
G3R20MT12N
TME Simbols:
G3R20MT12N
Specifikācija
Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 74A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 20mΩ | |
Pulsed drain current | 240A | |
Power dissipation | 365W | |
Technology | G3R™, SiC | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate-source voltage | -5...15V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto35.39 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12N
105 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 47.92 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 57.98 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 46.04 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 55.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 45.17 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 54.66 EUR
Ražotāja iepakojuma metode:Tūba = 10 gab