IXFN100N50P
Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN100N50P
TME Simbols:
IXFN100N50P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 500V | |
Drain current | 75A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 49mΩ | |
Pulsed drain current | 250A | |
Power dissipation | 1,04kW | |
Technology | HiPerFET™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 240nC | |
Reverse recovery time | 200ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.07 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
278 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.63 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 55.21 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 43.88 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 53.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 42.12 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 50.96 USD
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab