IXFN100N50Q3
Module; single transistor; 500V; 82A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN100N50Q3
TME Simbols:
IXFN100N50Q3
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 500V | |
Drain current | 82A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 49mΩ | |
Pulsed drain current | 300A | |
Power dissipation | 960W | |
Technology | HiPerFET™, Q3-Class | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 255nC | |
Reverse recovery time | 250ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto35.83 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50Q3Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 73.95 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 89.48 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 65.32 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 79.03 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 58.67 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 70.99 USD