IXFN110N85X
Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN110N85X
TME Simbols:
IXFN110N85X
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 850V | |
Drain current | 110A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 33mΩ | |
Pulsed drain current | 220A | |
Power dissipation | 1,17kW | |
Technology | HiPerFET™, X-Class | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 425nC | |
Reverse recovery time | 205ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.29 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN110N85X
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 71.30 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 86.28 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 65.97 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 79.82 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 63.66 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 77.02 EUR
Ražotāja iepakojuma metode:Tūba = 10 gab