IXFN140N20P
Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN140N20P
TME Simbols:
IXFN140N20P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 200V | |
Drain current | 115A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 18mΩ | |
Pulsed drain current | 280A | |
Power dissipation | 680W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 240nC | |
Reverse recovery time | 150ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.08 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN140N20PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.19 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 20.43 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 24.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 19.32 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 23.37 EUR
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab