IXFN140N30P
Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN140N30P
TME Simbols:
IXFN140N30P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 300V | |
Drain current | 110A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 24mΩ | |
Pulsed drain current | 300A | |
Power dissipation | 700W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 185nC | |
Reverse recovery time | 200ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.02 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN140N30PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
7 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 39.08 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 47.29 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 33.58 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 40.63 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 32.06 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 38.79 USD
Grūti pieejams produkts
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab