IXFN150N65X2
Module; single transistor; 650V; 145A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN150N65X2
TME Simbols:
IXFN150N65X2
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 650V | |
Drain current | 145A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 17mΩ | |
Pulsed drain current | 300A | |
Power dissipation | 1,04kW | |
Technology | HiPerFET™, X2-Class | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 355nC | |
Reverse recovery time | 190ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.32 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN150N65X2Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 47.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 56.86 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 44.03 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 53.28 EUR
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab