IXFN160N30T
Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN160N30T
TME Simbols:
IXFN160N30T
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 300V | |
Drain current | 130A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 19mΩ | |
Pulsed drain current | 444A | |
Power dissipation | 900W | |
Technology | GigaMOS™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 376nC | |
Reverse recovery time | 200ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto35.8 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN160N30TGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 25.56 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 30.92 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 23.17 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 28.04 EUR
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab