IXFN20N120P
Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN20N120P
TME Simbols:
IXFN20N120P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 20A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 570mΩ | |
Pulsed drain current | 50A | |
Power dissipation | 595W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 193nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.11 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN20N120PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
17 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.84 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.75 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 13.20 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 15.98 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 13.17 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 15.94 EUR
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab