IXFN24N100
Module; single transistor; 1kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 568W
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN24N100
TME Simbols:
IXFN24N100
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1kV | |
Drain current | 24A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 390mΩ | |
Pulsed drain current | 96A | |
Power dissipation | 568W | |
Technology | HiPerFET™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 250nC | |
Reverse recovery time | 250ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.16 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN24N100Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 41.74 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 50.51 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 37.29 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 45.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 35.50 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 42.95 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 33.25 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 40.24 EUR
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab