IXFN300N10P
Module; single transistor; 100V; 295A; SOT227B; screw; Idm: 900A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN300N10P
TME Simbols:
IXFN300N10P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 100V | |
Drain current | 295A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 5,5mΩ | |
Pulsed drain current | 900A | |
Power dissipation | 1,07kW | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 279nC | |
Reverse recovery time | 200ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.17 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN300N10PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 37.84 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 35.11 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 42.48 EUR
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab