IXFN320N17T2
Module; single transistor; 170V; 260A; SOT227B; screw; Idm: 800A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN320N17T2
TME Simbols:
IXFN320N17T2
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 170V | |
Drain current | 260A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 5,2mΩ | |
Pulsed drain current | 800A | |
Power dissipation | 1,07kW | |
Technology | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 640nC | |
Reverse recovery time | 150ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto36.9 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN320N17T2Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 59.16 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 71.58 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 52.32 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 63.30 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 46.98 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 56.84 USD
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab