IXFN32N100P
Module; single transistor; 1kV; 27A; SOT227B; screw; Idm: 75A; 690W
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN32N100P
TME Simbols:
IXFN32N100P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1kV | |
Drain current | 27A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,32Ω | |
Pulsed drain current | 75A | |
Power dissipation | 690W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 225nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.01 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N100P
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 40.17 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 48.61 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 38.30 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 46.35 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 34.10 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 41.26 USD
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 31.51 USDBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 38.12 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 30.77 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 37.23 USD
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 30.37 USDBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 36.75 USD
Ražotāja iepakojuma metode:Tūba = 10 gab