IXFN32N100Q3
Module; single transistor; 1kV; 28A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 780W
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN32N100Q3
TME Simbols:
IXFN32N100Q3
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1kV | |
Drain current | 28A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,32Ω | |
Pulsed drain current | 96A | |
Power dissipation | 780W | |
Technology | HiPerFET™, Q3-Class | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 195nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.02 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N100Q3Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 88.90 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 107.57 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 80.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 96.81 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 70.70 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 85.55 EUR
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab