IXFN36N100
Module; single transistor; 1kV; 36A; SOT227B; screw; Idm: 144A; 694W
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN36N100
TME Simbols:
IXFN36N100
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1kV | |
Drain current | 36A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,24Ω | |
Pulsed drain current | 144A | |
Power dissipation | 694W | |
Technology | HiPerFET™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 380nC | |
Reverse recovery time | 180ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.27 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN36N100Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 86.71 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 104.91 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 76.60 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 92.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 68.81 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 83.25 EUR
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab