IXFN40N110Q3
Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN40N110Q3
TME Simbols:
IXFN40N110Q3
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1,1kV | |
Drain current | 35A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,26Ω | |
Pulsed drain current | 100A | |
Power dissipation | 960W | |
Technology | HiPerFET™, Q3-Class | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 300nC | |
Reverse recovery time | 434ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto35.71 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN40N110Q3Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
2 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.52 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 24.82 EUR
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab