IXFN40N90P
Module; single transistor; 900V; 33A; SOT227B; screw; Idm: 80A; 695W
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN40N90P
TME Simbols:
IXFN40N90P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 900V | |
Drain current | 33A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,23Ω | |
Pulsed drain current | 80A | |
Power dissipation | 695W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 230nC | |
Reverse recovery time | 300ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto36.89 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN40N90PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 39.17 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 47.40 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 36.24 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 43.85 USD
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab