IXFN48N60P
Module; single transistor; 600V; 40A; SOT227B; screw; Idm: 110A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN48N60P
TME Simbols:
IXFN48N60P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 600V | |
Drain current | 40A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,14Ω | |
Pulsed drain current | 110A | |
Power dissipation | 625W | |
Technology | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 150nC | |
Reverse recovery time | 200ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto36.99 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN48N60PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.36 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 34.31 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.06 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 30.33 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 24.12 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 29.18 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 23.00 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 27.82 USD