IXFN64N50P
Module; single transistor; 500V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN64N50P
TME Simbols:
IXFN64N50P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 500V | |
Drain current | 50A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 85mΩ | |
Pulsed drain current | 150A | |
Power dissipation | 625W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 150nC | |
Reverse recovery time | 200ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto36.91 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN64N50PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 32.01 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 38.74 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 26.90 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 32.55 USD
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 24.95 USDBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 30.19 USD
Neto cena par daudzumiem no 40 gab - 23.32 USDBruto cena par daudzumiem no 40 gab - 28.21 USD
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 22.99 USDBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 27.82 USD
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab