IXFN64N60P
Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN64N60P
TME Simbols:
IXFN64N60P
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 600V | |
Drain current | 50A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 96mΩ | |
Pulsed drain current | 150A | |
Power dissipation | 700W | |
Technology | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 200nC | |
Reverse recovery time | 200ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto35.84 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN64N60PGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 34.03 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 41.18 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 29.55 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 35.75 USD
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 28.50 USDBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 34.49 USD
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab