IXFN66N85X
Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN66N85X
TME Simbols:
IXFN66N85X
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 850V | |
Drain current | 65A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 65mΩ | |
Pulsed drain current | 140A | |
Power dissipation | 830W | |
Technology | HiPerFET™, X-Class | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 230nC | |
Reverse recovery time | 250ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.04 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN66N85XGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
1 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.40 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 54.94 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 40.10 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 48.53 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 36.00 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 43.56 EUR
Ražotāja iepakojuma metodeRullītis = 10 gab