IXFN80N50
Module; single transistor; 500V; 80A; SOT227B; screw; Idm: 320A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN80N50
TME Simbols:
IXFN80N50
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 500V | |
Drain current | 80A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 55mΩ | |
Pulsed drain current | 320A | |
Power dissipation | 694W | |
Technology | HiPerFET™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 380nC | |
Reverse recovery time | 250ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.16 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
0 TME noliktavā
Produkts pēc speciālā pasūtījuma
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab