IXFN80N50Q3
Module; single transistor; 500V; 63A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXFN80N50Q3
TME Simbols:
IXFN80N50Q3
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 500V | |
Drain current | 63A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 65mΩ | |
Pulsed drain current | 240A | |
Power dissipation | 780W | |
Technology | HiPerFET™, Q3-Class | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 200nC | |
Reverse recovery time | 250ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.16 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N50Q3Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 41.25 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 49.91 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 38.65 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 46.77 EUR
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab