IXTN110N20L2
Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN110N20L2
TME Simbols:
IXTN110N20L2
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 200V | |
Drain current | 100A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 24mΩ | |
Pulsed drain current | 275A | |
Power dissipation | 735W | |
Technology | Linear L2™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 500nC | |
Reverse recovery time | 420ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN110N20L2Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 54.35 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 65.76 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 51.30 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 62.07 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 45.74 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 55.35 USD
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 42.86 USDBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 51.86 USD