IXTN17N120L
Module; single transistor; 1.2kV; 15A; SOT227B; screw; Idm: 34A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN17N120L
TME Simbols:
IXTN17N120L
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1,2kV | |
Drain current | 15A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,9Ω | |
Pulsed drain current | 34A | |
Power dissipation | 540W | |
Technology | Linear™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 155nC | |
Reverse recovery time | 1,83µs | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN17N120LGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 69.31 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 83.86 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 62.41 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 75.51 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 55.10 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 66.68 EUR