IXTN200N10L2
Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN200N10L2
TME Simbols:
IXTN200N10L2
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 100V | |
Drain current | 178A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 11mΩ | |
Pulsed drain current | 500A | |
Power dissipation | 830W | |
Technology | Linear L2™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 540nC | |
Reverse recovery time | 245ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto29.6 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10L2Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 52.47 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 63.49 USD
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 46.49 USDBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 56.25 USD
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 20 gab