IXTN200N10T
Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN200N10T
TME Simbols:
IXTN200N10T
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 100V | |
Drain current | 200A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 5,5mΩ | |
Pulsed drain current | 500A | |
Power dissipation | 550W | |
Technology | TrenchMV™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 152nC | |
Reverse recovery time | 76ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.01 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN200N10TGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 42.11 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 50.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 37.22 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 45.03 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 33.38 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 40.39 USD
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab