IXTN30N100L
Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXTN30N100L
TME Simbols:
IXTN30N100L
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 1kV | |
Drain current | 30A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,45Ω | |
Pulsed drain current | 70A | |
Power dissipation | 800W | |
Technology | Linear™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 545nC | |
Reverse recovery time | 1µs | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Transistor modules IXYS,
* IXTN30N100LGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 104.24 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 126.13 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 93.85 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 113.56 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 82.89 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 100.30 USD